静电感应屏蔽：用详细的金属屏蔽体将带正电导体包围起来，在屏蔽体的里侧将磁感应出与通电电导体相等的负电，两侧发生与通电电导体相等的正电，假如将金属屏蔽体接地装置，则两侧的正电将注入地面，两侧将不容易有静电场存有，即带正电导体的静电场被屏蔽在金属屏蔽身体。

交变电场屏蔽：为减少交变电场对比较敏感电源电路的藕合干扰工作电压，能够在干扰源和比较敏感电源电路中间设定导电率好的金属屏蔽体，并将金属屏蔽体接地装置。交变电场对比较敏感电源电路的藕合干扰工作电压尺寸在于交变电场工作电压、耦合电容和金属屏蔽体接地线电阻之积。只需想方设法使金属屏蔽体优良接地装置，便能使交变电场对比较敏感电源电路的藕合干扰工作电压越来越不大。静电场屏蔽以反射面为主导，因而屏蔽体的薄厚无须过大，而以构造抗压强度为关键考虑到要素。

交替变化磁场屏蔽：交替变化磁场屏蔽有高频率和低頻之分。低頻磁场屏蔽是利用高导磁率的原材料组成低磁电式通道，使绝大多数磁场被集中化在屏蔽身体。屏蔽体的导磁率越高，薄厚越大，磁电式越小，磁场屏蔽的实际效果越好。自然要与机器设备的净重相融洽。高频率磁场的屏蔽是利用高导电率的原材料造成的涡旋的反方向磁场来相抵干扰磁场而完成的。

交替变化电磁场：一般选用导电率高的原材料作屏蔽体，并将屏蔽体接地装置。它是利用屏蔽体在高频率磁场的功效下造成反向的涡旋磁场与原磁场相抵而消弱高频率磁场的干扰，又因屏蔽体接地装置而完成静电场屏蔽。屏蔽体的薄厚无须过大，而以趋肤深度和构造抗压强度为关键考虑到要素。

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